威兆半导体推出的VS6412ASL是一款面向 60V 低压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOP8 封装，适配低压小型电源管理、负载开关等领域。
一、产品基本信息
- 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
- 核心参数：
- 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；
- 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值 44.5mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)时 161mΩ，适配不同低压逻辑驱动；
- 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 10A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 4A，满足小型负载的电流需求；
- 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：40A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时小电流冲击。
二、核心特性
- 5V 逻辑电平控制：适配 5V 逻辑驱动，无需额外电平转换，简化低压小型电路设计；
- VeriMOS® 技术：搭配低导通电阻，提升低压场景能效；
- 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。
三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）
| 参数 | 符号 | 数值（Rating） | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极击穿电压 | \(V_{DSS}\) |
60 | V |
| 栅源极电压 | \(V_{GS}\) |
±20 | V |
| 二极管连续正向电流 | \(I_S\) |
10 | A |
| 连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)） | \(I_D\) |
\(T=25^\circ\text{C}\): 10；\(T=100^\circ\text{C}\): 4 |
A |
| 脉冲漏极电流 | \(I_{DM}\) |
40 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | \(E_{AS}\) |
3.1 | mJ |
| 最大功耗 | \(P_D\) |
1.21 | W |
| 工作 / 存储温度范围 | \(T_J、T_{STG}\) |
-55~+150 | ℃ |
四、封装与应用场景
- 封装形式：SOP8 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷，适配小型化电路板设计；
- 典型应用：
- 60V 级低压小型 DC/DC 转换器；
- 消费电子、物联网设备的低压负载开关；
- 小型电源管理模块。
五、信息来源
威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）
